MOSFET N de 85 V/2,9 mΩ/215 A
1 Descripción
Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Baja resistencia
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
• Cargo de puerta bajo
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Control y accionamiento de motores
● Carga/Descarga para el sistema de gestión de baterías
● Rectificador síncrono para SMPS
| VDSS |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| 85V |
2,9 mΩ |
215A |