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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, offrant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :

85 V/2,9 mΩ/215 A N-MOSFET


1 Descriptif 

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, fournissant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Commutation rapide

● Faible résistance 

● Faibles capacités de transfert inverse

• Faibles frais d'entrée

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS 

  • Fort courant d'avalanche


3 candidatures 

● Contrôle et entraînement du moteur

● Charge/Décharge pour le système de gestion de batterie

● Redresseur synchrone pour SMPS



VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
85V 2,9 mΩ 215A


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