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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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85v / 2,9mΩ / 215an-MOSFET DH025N08 à-220C

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie de la tranchée SPLITE GATE, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
Disponibilité:
quantité:

85V / 2,9mΩ / 215a N-MOSFET


1 Description 

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie de la tranchée SPLITE GATE, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques 

● Commutation rapide

● Faible de résistance 

● Capacités de transfert inverse faibles

• Charge de porte basse

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion

● Test à 100% ΔVDS 

  • Courant de grande avalanche


3 applications 

● Contrôle et entraînement du moteur

● Charge / décharge pour le système de gestion des batteries

● Rectifier synchrone pour SMPS



Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT
85v 2,9mΩ 215A


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