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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 4A 1500V DH4N150F TO-3PF DH4N150F A-3PF 1500V 4A 英文版DH4N150F技术规格书.pdf
Transistor bipolar de puerta aislada 60A 650V G60T65D TO-3PN DHG60T65D A-3PN 650V 60A Especificación del dispositivo DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 60A 68V DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60V 60A Especificación del dispositivo DH60N06+.pdf
MOSFET F10N80 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 10A 800V F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
MOSFET F12N60 TO-220F de potencia del modo de mejora del canal N de 12A 600V F12N60 TO-220F 600V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
MOSFET de potencia 23N50D TO-3P del modo de mejora del canal N de 23A 500V 23N50D A-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
MOSFET de potencia B4N60 del modo de mejora del canal N de 4A 600V B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
Módulo IGBT de medio puente 50A 1200V DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34mm 1200V 50A DHG50N120D.pdf
MOSFET de potencia D7N70 TO-252B del modo de mejora del canal N de 7A 700V D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf
MOSFET B5N65 TO-251B del poder del modo del aumento del canal N de 5A 650V B5N65 TO-251B 650V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
Módulo IGBT de medio puente 75A 1200V DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
MOSFET de potencia de SiC de canal N de 20 mΩ y 650 V DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 A-247 650V 92A DCC020M65G2 y DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 TO-220C 650V 10A 英文版10N65技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 13A 500V 13N50 TO-220C 13N50 TO-220C 500V 13A 英文版13N50技术规格书.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 41A 650V DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 A-247 650V 41A DCC060M65G2 y DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 5A 1200V DCD05D120G3
MOSFET F14N65 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 14A 650V F14N65 TO-220F 650V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
MOSFET de potencia F12N65 del modo de mejora del canal N de 12A 650V F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf

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