16A 650V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET F16N65

16A 650V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET

1 descripción

Estos VDMOSFET mejorados con el canal N, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejoran el rendimiento del cambio y mejora la energía de avalancha. Que concuerda con el estándar ROHS. TO20F proporciona voltaje de aislamiento con una calificación de 2000 V RMS desde los tres terminales hasta disipadores térmicos externos. La serie TO20F cumple con los estándares UL (REF de archivo: E252906). 

2 características 

● Cambio rápido 

● ESD mejoró la capacidad 

● Baja de resistencia (rdson≤0.6Ω) 

● Baja carga de puerta (típ: 50.5nc)

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típ: 10.4pf)

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 

3 aplicaciones

● Utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia. 

● Circuito de interruptor de encendido de lastre de electrones y adaptador.