16A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET F16N65

16A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede vdmosfets opnås af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer omskiftningsydelsen og forbedrer lavineenergien. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. TO-220F giver isolationsspænding vurderet til 2000V RMS fra alle tre terminaler til ekstern heatsink. TO-220F-serien overholder UL-standarder (Fil ref: E252906). 

2 funktioner 

● Hurtigt skift 

● ESD forbedret kapacitet 

● Lav modstand (Rdson≤0,6Ω) 

● Lav portladning (Type: 50,5nC)

● Lave omvendte overførselskapacitanser (Type: 10,4pF)

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger

● Anvendes i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet. 

● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
650V	0,5 Ω	16A