16A 650V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET F16N65

16A 650V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET

1 Opis

Ovi N-kanalni poboljšani vdmosfeti dobiveni su samoporavnanom planarnom tehnologijom koja smanjuje gubitak vodljivosti, poboljšava izvedbu prebacivanja i povećava energiju lavine. Što je u skladu s RoHS standardom. TO-220F osigurava izolacijski napon ocijenjen na 2000 V RMS od sva tri terminala do vanjskog hladnjaka. Serija TO-220F u skladu je s UL standardima (ref. datoteka: E252906). 

2 Značajke 

● Brzo prebacivanje 

● ESD poboljšana sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤0,6Ω) 

● Nizak naboj vrata (Tip: 50,5 nC)

● Niski kapaciteti obrnutog prijenosa (tip: 10,4 pF)

● 100% ispitivanje energije lavine jednog pulsa 

● 100% ΔVDS test 

3 Prijave

● Koristi se u različitim strujnim sklopovima za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. 

● Krug prekidača napajanja elektronskog balasta i adaptera.

VDSS	RDS (uključen) (TYP)	ID
650V	0,5 Ω	16A