16A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET F16N65

16A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec N-canali vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta, quae conductionem damnum minuunt, emendae commutationes perficiendi et NIVIS energiae augendae. Quod congruit cum RoHS vexillum. TO-220F praebet intentionem insulationem in 2000V RMS aestimatam ab omnibus tribus terminalibus calorum externorum. TO-220F series signa UL parere (File ref:E252906). 

2 Features 

Fast commutatione 

ESD melius facultatem 

Minimum resistente (Rdson≤0.6Ω) 

● Praefectum portae Minimum (Typ: 50.5nC)

Minimum contra facultates translationis (Typ: 10.4pF)

C% una pulsus NIVIS industria test 

C% VDS test 

III Applications

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum. 

● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
650V	0.5 Ω	16A