16A 650V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET F16N65

16A 650V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur. TO-220F, her üç terminalden de dış soğutucu olarak 2000V rms olarak derecelendirilen yalıtım voltajı sağlar. TO-220F serisi UL standartlarına uymaktadır (Dosya Ref: E252906). 

2 Özellik 

● Hızlı anahtarlama 

● ESD Geliştirilmiş özellik 

● Direnç düşük (rdson≤0.6Ω) 

● Düşük kapı şarjı (tip: 50.5nc)

● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 10.4pf)

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 

3 Uygulama

● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörünün güç anahtarı devresi.