16A 650V מצב שיפור N-channel Power MOSFET F16N65

16A 650V מצב שיפור מצב N-channel Power MOSFET

1 תיאור

מכשירי Vdmosfets משופרים אלה עם ערוץ N, מתקבלים על ידי הטכנולוגיה המישורית המישורית העצמית אשר מפחיתה את אובדן ההולכה, משפרת את ביצועי המיתוג ומשפרת את אנרגיית המפולת. מה שמתאים לתקן RoHS. TO-220F מספק מתח בידוד בדירוג של 2000V RMS מכל שלושת המסופים לגוף קירור חיצוני. סדרת TO-220F עומדת בתקני UL (נ' קובץ:E252906). 

2 תכונות 

● מעבר מהיר 

● יכולת משופרת של ESD 

● התנגדות נמוכה (Rdson≤0.6Ω) 

● טעינת שער נמוכה (סוג: 50.5nC)

● קיבולי העברה הפוכה נמוכים (סוג: 10.4pF)

● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית 

● 100% בדיקת ΔVDS 

3 יישומים

● משמש במעגלי מיתוג מתח שונים עבור מזעור מערכת ויעילות גבוהה יותר. 

● מעגל מתג מתח של נטל אלקטרוני ומתאם.

VDSS	RDS(מופעל) (TYP)	תְעוּדַת זֶהוּת
650V	0.5 Ω	16A