Upatikanaji: | |
---|---|
Wingi: | |
F16N65
Wxdh
Kwa-220f
650V
16a
16A 650V N-Channel Uboreshaji Mode Power MOSFET
Maelezo 1
VDMOSFETs hizi zilizoboreshwa za N-channel, hupatikana na teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo hupunguza upotezaji wa uzalishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuongeza nishati ya avalanche. Ambayo inaambatana na kiwango cha ROHS. TO-220F hutoa voltage ya insulation iliyokadiriwa kwa 2000V RMS kutoka vituo vyote vitatu hadi heatsink ya nje. Mfululizo wa TO-220F hufuata Viwango vya UL (Faili Ref: E252906).
Vipengele 2
● Kubadilisha haraka
● Uwezo wa ESD ulioboreshwa
● Chini ya upinzani (rdson≤0.6Ω)
● Malipo ya lango la chini (typ: 50.5nc)
● Uwezo wa chini wa uhamishaji wa nyuma (typ: 10.4pf)
● Mtihani wa nishati moja wa Pulse Avalanche
● Mtihani wa 100% ΔVDS
Maombi 3
● Inatumika katika mzunguko tofauti wa kubadili nguvu kwa mfumo wa miniaturization na ufanisi mkubwa.
● Mzunguko wa kubadili nguvu ya ballast ya elektroni na adapta.
VDS | RDS (on) (typ) | Id |
650V | 0.5 Ω | 16a |
16A 650V N-Channel Uboreshaji Mode Power MOSFET
Maelezo 1
VDMOSFETs hizi zilizoboreshwa za N-channel, hupatikana na teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo hupunguza upotezaji wa uzalishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuongeza nishati ya avalanche. Ambayo inaambatana na kiwango cha ROHS. TO-220F hutoa voltage ya insulation iliyokadiriwa kwa 2000V RMS kutoka vituo vyote vitatu hadi heatsink ya nje. Mfululizo wa TO-220F hufuata Viwango vya UL (Faili Ref: E252906).
Vipengele 2
● Kubadilisha haraka
● Uwezo wa ESD ulioboreshwa
● Chini ya upinzani (rdson≤0.6Ω)
● Malipo ya lango la chini (typ: 50.5nc)
● Uwezo wa chini wa uhamishaji wa nyuma (typ: 10.4pf)
● Mtihani wa nishati moja wa Pulse Avalanche
● Mtihani wa 100% ΔVDS
Maombi 3
● Inatumika katika mzunguko tofauti wa kubadili nguvu kwa mfumo wa miniaturization na ufanisi mkubwa.
● Mzunguko wa kubadili nguvu ya ballast ya elektroni na adapta.
VDS | RDS (on) (typ) | Id |
650V | 0.5 Ω | 16a |