16A 650 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET F16N65

16A 650 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET

1 Opis

Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs. TO-220F zapewnia napięcie izolacyjne oceniane przy 2000 V RMS ze wszystkich trzech zacisków do zewnętrznego ciepła. Seria TO-220F jest zgodna ze standardami UL (plik Ref: E252906). 

2 funkcje 

● Szybkie przełączanie 

● Ulepszona zdolność ESD 

● Niska rezystancja (RDSON ≤ 0,6 Ω) 

● Niski ładunek bramki (Typ: 50,5NC)

● Niskie pojemności odwrotnego transferu (Typ: 10.4pf)

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS 

3 aplikacje

● Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności. 

● Obwód przełącznika zasilania elektronowego balastu i adaptera.