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Diodo de barrera Schottky de 25A 650V SiC DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 10A 600V 10N60 10N60
MOSFET de potencia 5N50 del modo de mejora del canal N de 5A 500 V 5N50
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C A-220C 650V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 60V DHS015N06 TO-220C DHS015N06 A-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+hoja de datos+Rev.1.0.pdf
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MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 A-263 500V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
MOSFET DJF380N65T TO-220F del poder estupendo de la unión del canal N de 10.6A 650V DJF380N65T TO-220F 650V 10.6A Dispositivo DJF380N65T Especificación Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA A-220C -60V -140A Dispositivo+DTG050P06LA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 200V MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA A-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
MOSFET F8N65 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 8A 650V F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 100V DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA A-263 100V 180A Dispositivo+DSE026N10NA y DSG028N10NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Módulo IGBT de medio puente 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E A-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+hoja de datos+Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia F50N20 del modo de mejora del canal N de 50A 200V F50N20 TO-220F 200V 50A Especificación del dispositivo F50N20(1).pdf
Módulo IGBT de medio puente 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
Transistor bipolar G40N120D TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 40A 1200V G40N120D A-247 1200V 40A G40N120D - hoja de datos.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Especificación del dispositivo DCD04D65G4.pdf

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