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Diodo de barrera Schottky de 25A 650V SiC DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
MOSFET de potencia 5N50 del modo de mejora del canal N de 5A 500 V 5N50
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 60V DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+hoja de datos+Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 16A 650V DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V 16A Donghai DHSJ21N65Z Hoja de datos V1.0(1).pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 A-263 500V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
MOSFET DJF380N65T TO-220F del poder estupendo de la unión del canal N de 10.6A 650V DJF380N65T TO-220F 650V 10.6A Dispositivo DJF380N65T Especificación Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Dispositivo+DTG050P06LA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 200V MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA A-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
MOSFET F8N65 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 8A 650V F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 100V DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA A-263 100V 180A Dispositivo+DSE026N10NA y DSG028N10NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Módulo IGBT de medio puente 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E A-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+hoja de datos+Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia F50N20 del modo de mejora del canal N de 50A 200V F50N20 TO-220F 200V 50A Especificación del dispositivo F50N20(1).pdf
Módulo IGBT de medio puente 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Especificación del dispositivo DCD04D65G4.pdf
Módulo IGBT de medio puente 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
transistor bipolar DGD06F65M2 TO-252B de la puerta aislada Trenchstop de 6A 650V DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A _hoja de datos.pdf

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