未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

Alla produkter

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
25A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 500V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET 5N50 5N50
180A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datablad+Rev.1.0.pdf
16A 650V N-kanals Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V 16A Donghai DHSJ21N65Z Datablad V1.0(1).pdf
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
10,6A 650V N-kanals Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10,6A Enhet DJF380N65T Specifikation Rev.1.0.pdf
80A 1200V Snabbåterställningsdiod MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V P-kanals förbättringsläge Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Enhet+DTG050P06LA+Specifikation+Rev.1.0.pdf
80A 200V Snabbåterställningsdiod MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
8A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
180A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Enhet+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifikation+Rev.1.0.pdf
100A 1200V Halvbrygga IGBT-modul DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datablad+Rev.1.0.pdf
50A 200V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Enhet F50N20 Specifikation(1).pdf
150A 1200V Halvbryggmodul IGBT-modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
4A 650V SiC Schottky-barriärdiod DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Enhet DCD04D65G4 Specifikation.pdf
150A 1200V Halvbryggmodul IGBT-modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop isolerad grind bipolär transistor DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A _datablad.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com