未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

Alla produkter

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
160A 120V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120V 160A DHS044N12&DHS044N12E_Datablad_V1.0.pdf
600A 1200V Halvbryggmodul DGD600H120L2T EconoDUAL3-PAKET DGD600H120L2T EconoDUAL3 1200V 600A DGD600H120L2T-REV1.1.pdf
SchottkyBarrierDiode 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT TO-220M 200V 10A 英文版MBR10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100V 50A DHS180N10LD_Datablad_V1.0-SOQ.pdf
20A 600V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F20N60 TO-220F F20N60 TO-220F 600V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 145A 60V DH045N06 TO-220C DH045N06 TO-220C 60V 145A Enhet DH045N06 Specifikation.pdf
20A 650V SiC Schottky Barriärdiod DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Enhet DCD20D65G4 Specifikation.pdf
100A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60V 100A DH066N06D_Datablad_V2.0.pdf
16A 600V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F16N60 TO-220F F16N60
80A 600V Snabbåterställningsdiod MUR8060FCT TO-3PF MUR8060FCT TO-3PF 600V 80A 英文版MUR8060FCT技术规格书REV1.0.pdf
30mΩ 1200V N-kanal SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
20A 45V LÅG VF SchottkyBarrierDiode MBR20R45CT TO-263 MBR20R45CT TO-263 45V 20A 英文版MBR20R45CT技术规格书.pdf
10A 150V SchottkyBarrierDiode MBR10150CT TO-220M MBR10150CT TO-220M 150V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
25A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100V 25A Enhet 25N10 Specification.pdf
60A 600V Snabbåterställningsdiod MUR6060NCT TO-3PN MUR6060NCT TO-3PN 600V 60A 英文版MUR6060NCT技术规格书.pdf
50A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30V 50A DHB50N03&DHD50N03_Datablad_V1.0.pdf
100A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A 30H10_Datablad_V1.0.pdf
4,5A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650V 4,5A 英文版F5N65C技术规格书REV1.1.pdf
8A 600V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 TO-220F 600V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
30A 200V SchottkyBarrierDiode HMBR30200CT TO-220C HMBR30200CT TO-220C 200V 30A 英文版HMBR30200CT技术规格书.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com