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MOSFET F8N60 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 8A 600V F8N60 TO-220F 600V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 30A 200V HMBR30200CT TO-220C HMBR30200CT A-220C 200V 30A 英文版HMBR30200CT技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 174A 85V DHS030N88E TO-263 DHS030N88E A-263 85V 174A Especificación del dispositivo DHS030N88.pdf
MOSFET de potencia F20N60 TO-220F del modo de mejora del canal N de 20A 600V F20N60 TO-220F 600V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Especificación del dispositivo DH100P20.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 45A 100V DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 96A 40V DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A Donghai_DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 85V DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85V 80A Especificación del dispositivo DHS065N85P.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 180 A y 135 V DSG052N14N A-220C 135V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
MOSFET N de 100 V/12 mΩ/60 A DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A Donghai_DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
Módulo inversor NPC de 3 niveles Módulo IGBT DGQ450C65M2T DGQ450C65M2T Asignación de pines 650V 270A DGQ450C65M2T-REV1.5.pdf
MUR6030BCT TO-247S MUR6030BCT
8N65 TO-220C 8N65
PAQUETE DE PEAJE DSU047N15NA DSU047N15NA
Diodo de barrera Schottky 10A 200V MBRE10200CT TO-263 MBRE10200CT A-263 200V 10A 英文版MBRE10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 3A 900V DHB3N90 TO-251 DHB3N90 A-251 900V 3A Especificación del dispositivo DH3N90.pdf
MOSFET de potencia súper unión de canal N de 10.6A 700V DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700V 10.6A Dispositivo DJD420N70T Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia de unión estupenda de canal N de 7.6A 650V DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18A Especificación del dispositivo 640.pdf
150V/7.5mΩ/115A N-MOSFET TO-220C DSG092N15N3A A-220C 150V 115A

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