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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 160A 120V DHS044N12E TO-263 DHS044N12E A-263 120V 160A DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
Módulo medio puente 600A 1200V DGD600H120L2T PAQUETE EconoDUAL3 DGD600H120L2T EconoDUAL3 1200V 600A DGD600H120L2T-REV1.1.pdf
SchottkyBarreraDiodo 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT A-220M 200V 10A 英文版MBR10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100V 50A DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
MOSFET de potencia F20N60 TO-220F del modo de mejora del canal N de 20A 600V F20N60 TO-220F 600V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 145A 60V DH045N06 TO-220C DH045N06 TO-220C 60V 145A Especificación del dispositivo DH045N06.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Especificación del dispositivo DCD20D65G4.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 60V DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET F16N60 TO-220F de potencia del modo de mejora del canal N de 16A 600V F16N60
Diodo de recuperación rápida 80A 600V MUR8060FCT TO-3PF MUR8060FCT A-3PF 600V 80A 英文版MUR8060FCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia de SiC de canal N de 30mΩ y 1200V DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
Diodo de barrera Schottky MBR20R45CT TO-263 de 20 A, 45 V, VF bajo MBR20R45CT A-263 45V 20A 英文版MBR20R45CT技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 10A 150V MBR10150CT TO-220M MBR10150CT A-220M 150V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 25A 100V 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100V 25A Especificación del dispositivo 25N10.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 600V MUR6060NCT TO-3PN MUR6060NCT A-3PN 600V 60A 英文版MUR6060NCT技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 50A 30V DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30V 50A DHB50N03&DHD50N03_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 30V 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A 30H10_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET F5N65C TO-220F de potencia del modo de mejora del canal N de 4.5A 650V F5N65C TO-220F 650V 4.5A 英文版F5N65C技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET F8N60 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 8A 600V F8N60 TO-220F 600V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 30A 200V HMBR30200CT TO-220C HMBR30200CT TO-220C 200V 30A 英文版HMBR30200CT技术规格书.pdf

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