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Módulo IGBT de medio puente 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
transistor bipolar DGD06F65M2 TO-252B de la puerta aislada Trenchstop de 6A 650V DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A DGD06F65M2__datasheet.pdf
 Diodo de barrera Schottky de SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Especificación del dispositivo DH100P30AD.pdf
 Diodo de recuperación rápida 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT A-220C 400V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 96A 30V DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Especificación del dispositivo DH030N03P.pdf
MOSFET de potencia DSP038N08NA DFN5X6 del modo de mejora del canal N de 130A 85V DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET B2N65 de potencia del modo de mejora del canal N de 2A 650 V B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 300V MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT A-3PN 300V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 60A 100V DH0159 TO-220C DH0159 A-220C 100V 59A Especificación del dispositivo DH0159B76(1).pdf
MOSFET DJD380N65T TO-252B del poder estupendo de la unión del canal N de 10.6A 650V DJD380N65T TO-252B 650V 10.6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 68V DH072N07 TO-220C DH072N07 A-220C 68V 80A Especificación del dispositivo DH072N07.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 100V DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Especificación del dispositivo DHS065N10P(1).pdf
 Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
MOSFET de potencia F20N65 TO-220F del modo de mejora del canal N de 20A 650V F20N65
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 33A 60V DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Dispositivo DH240N06L Especificación Rev.2.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 65 A y 100 V DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
MOSFET F18N50 TO-220F de potencia del modo de mejora del canal N de 18A 500V F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 80V DH80N08 TO-220C DH80N08 A-220C 80V 80A Especificación del dispositivo DH80N08 B22.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N 120A100V D120N10 A-220C 100V 120A Especificación del dispositivo D120N10ZR.pdf

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