MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 160A 120V DHS044N12E TO-263

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 160 A y 120 V

1 Descripción 

Los mosfets de potencia del modo de mejora del canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Rectificación síncrona en SMPS 

● Control y accionamiento del motor.

● Gestión de la batería 

● SAI 

● herramientas eléctricas

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
120V	3,7 mΩ	160A