160A 120V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DHS044N12E TO-263

160A 120V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse 

N-kanal-forbedringstilstanden power-mosfets brugte avanceret split-gate trench-teknologi, hvilket gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Lav modstand 

● Lav portladning 

● Hurtigt skifte 

● Lave omvendte overførselskapacitanser

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger 

● Synkron ensretning i SMPS 

● Motorstyring og drev

● Batteristyring 

● UPS 

● Elværktøj

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
120V	3,7 mΩ	160A