Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
DHS044N12E
WXDH
Έως 263
120V
160α
160A 120V N-Channel MODENCE MOSFET
1 περιγραφή
Η λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησε προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχε εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Χαμηλή αντίσταση
● Χαμηλή φόρτιση πύλης
● Γρήγορη εναλλαγή
● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS
● Έλεγχος και οδήγηση κινητήρα
● Διαχείριση μπαταριών
● UPS
● Λειτουργικά εργαλεία
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
120V | 3.7mΩ | 160α |
160A 120V N-Channel MODENCE MOSFET
1 περιγραφή
Η λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησε προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχε εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Χαμηλή αντίσταση
● Χαμηλή φόρτιση πύλης
● Γρήγορη εναλλαγή
● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS
● Έλεγχος και οδήγηση κινητήρα
● Διαχείριση μπαταριών
● UPS
● Λειτουργικά εργαλεία
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
120V | 3.7mΩ | 160α |