160A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS044N12E TO-263

160A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն 

N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետներն օգտագործում էին առաջադեմ ճեղքված դարպասի խրամուղիների տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովելով գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ 

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Արագ միացում 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ 

● Սինխրոն ուղղում SMPS-ում 

● Շարժիչի կառավարում և շարժիչ

● Մարտկոցի կառավարում 

● UPS 

● Էլեկտրական գործիքներ

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
120 Վ	3,7 mΩ	160 Ա