未命名 (1) (8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Estás aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
Líneas de productos seleccionadas:

Todos los productos

de imagen de modelo Paquete V Una de la hoja de datos de detalles consulta Agregar a la canasta
Modo de mejora del canal N 100a 30V MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D A 252b 30V 100A Dispositivo DH033N03 Especificación (1) .pdf
Diodo de recuperación rápida 80a 300V MUR80FU30DCT TO-3PN MUR80FU30DCT A 3pn 300V 80A 英文版 MUR80FU30DCT 技术规格书 .pdf
0.8A 600V Modo de mejora del canal MOSFET B1N60 a 251 B1N60 A 251b 600V 0.8a
20A 650V Modo de mejora del canal MOSFET 20N65 a 220C 20n65 A 220c 650V 20A 英文版 20N65 技术规格书 AA9.PDF
20A 400V Diodo de recuperación rápida MUR2040 a 220-2L MUR2040 A 220-2L 400V 20A 英文版 Mur2040 技术规格书 220.pdf
60A 60V SchottkyBarrierdiode MBR6060CT TO-3PN MBR6060CT A 3pn 60V 60A 英文版 MBR6060CT (3p, 3pn, 247) 技术规格书 .pdf
90A 30V Modo de mejora del canal MOSFET DHD90N03 a 252B DHD90N03 A 252b 30V 90A Dispositivo DH90N03 B17 Especificación.PDF
60A 300V Ultra Recuperación de recuperación rápida Diodo MUR60FU30CS TO-3PN MUR60FU30DCS A 3pn 300V 60A
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 80A 60V D80N06 A 252b 60V 80A Dispositivo 80n06 Especificación.pdf
110A 100V Modo de mejora del canal MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
Diodo de recuperación rápida 40A 600V MUR4060BCT TO-247 MUR4060BCT
45A 300V Diodo de recuperación rápida MUR4530DCT TO-3PN MUR4530DCT A 3pn 300V 45a MUR4530DCT 英文版 FRD 45A 300V T Series 技术规格书 .pdf
10a 600V Diodo de recuperación rápida MUR1060 a 220-2L Mur1060 A 220-2L 600V 10A 英文版 Mur1060 技术规格书 Rev1.1.pdf
112A 85V Modo de mejora del canal MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85V 112a Dispositivo DHS043N85P Especificación-Rev.1.0.pdf
108A 85V Modo de mejora del canal MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108a Dhs042n85p_dataSteet_v1.0.pdf
120A 90V Modo de mejora del canal de potencia MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R A 220c 90V 120a Dispositivo DH90N055R Especificación.PDF
175A 80V N-canal Modo de mejora de la potencia MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E A 263 80V 175a Dhs035n88 y dhs035n88e & dhs035n88i_dataSheet_v2.0.pdf
Puerta de pañuelos de 1200V de 1200V Transistor bipolar aislado DGC40H120M2 TO-247 DGC40H120M2 To-247 1200V 40A DGC40H120M2 - Dataheet.pdf
Modo de mejora del canal N 100a 30V MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 Dfn5x6 30V 100A Dispositivo DHP150N03 Especificación (1) .pdf
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA A 220c 100V 180A Dispositivo+DSE026N10NA y DSG028N10NA+Especificación+Rev.1.0.pdf

Video de productos

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regístrese para nuestro boletín
  • Prepárese para el futuro
    Regístrese para nuestro boletín para obtener actualizaciones directamente a su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com