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MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 60A 40V DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60A Especificación del dispositivo DH065N04P.pdf
30V/2.2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L A-220C 30V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 A-220C 85V 100A Especificación del dispositivo DHS065N85.pdf
MOSFET de potencia súper unión de canal N de 10.6A 700V DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10.6A Dispositivo DJF420N70T Especificación Rev.1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 A-220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky MBR20R150CT TO-220C de 20 A, 150 V, VF bajo MBR20R150CT A-220C 150V 20A 英文版MBR20R150CT技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 30A 45V MBR3045CT TO-3P MBR3045CT A-3PN 45V 30A
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 140 A y 85 V DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 200A 30V DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Especificación del dispositivo DH020N03(B39).pdf
Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 130 A y 100 V DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 A-220C 40V 180A Especificación del dispositivo DHS020N04.pdf
Diodo de recuperación rápida 16A 400V MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400V 16A 英文版MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
Transistor bipolar DGE20F65M2 TO-263 de puerta aislada Trenchstop de 20A 650V DGE20F65M2 A-263 650V 20A DGE20F65M2_datasheet.pdf
-6A -100V Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V POE-8 -100V -6A Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia DTE043N04NA TO-263 del modo de mejora del canal N de 120A 40V DTE043N04NA A-263 40V 120A Dispositivo+DTG045N04NA y DTE043N04NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7812 TO-220M L7812 A-220M 12V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
MOSFET DATP057N06N DFN5*6 del poder del modo del aumento del canal N de 70A 60V DATP057N06N DFN5*6 60V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 238A 60V DH026N06 TO-220C DH026N06 A-220C 60V 23rgía y el desarrollo sostenible se están convirtiendo en prioridades globales, la industria de la iluminación ha experimentado una revolución tecnológica. Las soluciones de iluminación tradicionales, como las lámparas incandescentes y fluorescentes, están siendo reemplazadas rápidamente por sistemas basados ​​en LED debido a su mayor eficiencia energética y su mayor vida útil. Sin embargo, el rendimiento de estos modernos sistemas de iluminación no sólo depende de los propios LED, sino también de la electrónica de potencia que hay detrás de ellos. Entre estos componentes cruciales, el módulo de diodo de barrera Schottky (SBD) de 20 A y 200 V desempeña un papel clave para mejorar la conversión de energía, reducir el desperdicio de energía y garantizar la confiabilidad del sistema. Especificación del dispositivo DH026N06.pdf

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