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MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 240A 60V DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Hoja de datos+V2.0.pdf
PAQUETE DE PEAJE MOSFET DSU021N10NA de potencia de modo de mejora de canal N de 300A y 100 V DSU021N10NA PEAJE 100V 300A Dispositivo+DSU021N10NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 30A 200V MUR3020DCT MUR3020DCT A-3PN 200V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 54A 30V DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Especificación del dispositivo DH060N03R.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 70V DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B y DHS130N06D+Hoja de datos+V3.0 (1).pdf
Diodo de barrera Schottky de 40A 1200V SiC DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 A-247-2 1200V 40A Especificación del dispositivo DCCT40D120G4.pdf
MOSFET de potencia de unión estupenda del canal N de 4.8A 650V DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4.8A DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
MOSFET B2N65 de potencia del modo de mejora del canal N de 2A 650 V B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 60A 40V DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60A Especificación del dispositivo DH065N04P.pdf
Diodo de barrera Schottky de 15A 1200V SiC DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Especificación del dispositivo DCGT15D120G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 A-263 650V 30A Especificación del dispositivo DCE30D65G4.pdf
-50A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Dispositivo+DH300P06L+Especificación+Rev.2.0.pdf
MOSFET de potencia SiC de canal N de 7.0A 1700V DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 A-247 1700V 7A DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U PEAJE 100V 180A Dispositivo+DHS025N10U+Especificación+V2.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 140 A y 85 V DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
Medio puente 500V/4A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POE-11 500V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
PAQUETE MOSFET DH045N04P DFN5X6 de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 40V DH045N04P DFN5X6 40V 80A Especificación del dispositivo DH045N04P(1).pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40V 180A Especificación del dispositivo DHS020N04.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D

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