Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 180A 100V DHS025N10U Toll

Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 180A 100V

1 descripción 

Este modo de mejora del canal N, MOSFET, MOSFET utiliza la tecnología avanzada de zanja de puerta dividida, que proporciona una excelente carga de RDSON y baja puerta al mismo tiempo. Que concuerda con el estándar ROHS. 

2 características

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido

● Gestión de energía para sistemas de inversores 

● Gestión de la batería