MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 180A 100V DHS025N10U TOLL

Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 180A 100V

1 Descripción 

Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N utiliza la avanzada tecnología Split Gate Trench, que proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja al mismo tiempo. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía

● Gestión de energía para sistemas inversores. 

● Gestión de la batería

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	2,2 mΩ	180A