N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 100 V DHS025N10U TOLL

N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 100 V

1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen

● Energiemanagement für Wechselrichtersysteme 

● Batteriemanagement

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
100V	2,2 mΩ	180A