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N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 100V DHS025N10U Toll

N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 100V
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N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 100V

1 Beschreibung 


Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen

● Stromverwaltung für Wechselrichtersysteme 

● Batteriemanagement

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 2,2 mΩ 180a


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