Kullanılabilirlik: | |
---|---|
Miktar: | |
DHS025N10U
WXDH
GEÇİŞ ÜCRETİ
100V
180a
N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet 180A 100V
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu Power MOSFET, aynı anda mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlayan gelişmiş bölünmüş kapı hendek teknolojisini kullanır. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulamaları
● İnvertör sistemleri için güç yönetimi
● Pil yönetimi
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
100V | 2.2mΩ | 180a |
N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet 180A 100V
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu Power MOSFET, aynı anda mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlayan gelişmiş bölünmüş kapı hendek teknolojisini kullanır. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulamaları
● İnvertör sistemleri için güç yönetimi
● Pil yönetimi
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
100V | 2.2mΩ | 180a |