Mode Peningkatan Saluran N Daya MOSFET 180A 100V
1 Deskripsi
MOSFET daya mode peningkatan saluran-N ini menggunakan teknologi Split Gate Trench yang canggih, yang memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan Gerbang yang rendah pada saat yang bersamaan. Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
● Resistensinya rendah
● Biaya gerbang rendah
● Peralihan cepat
● Kapasitansi transfer balik yang rendah
● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal
● Tes ΔVDS 100%.
3 Aplikasi
● Aplikasi peralihan daya
● Manajemen daya untuk sistem inverter
● Manajemen baterai
| VDSS |
RDS(aktif)(TYP) |
PENGENAL |
| 100V |
2.2mΩ |
180A |