N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 100V DHS025N10U ໂທ

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 100V

1 ຄຳອະທິບາຍ 

MOSFET ຮູບແບບການເພີ່ມປະສິດທິພາບ N-channel ນີ້ໃຊ້ເທກໂນໂລຍີ Split Gate Trench ຂັ້ນສູງ, ເຊິ່ງສະຫນອງ Rdson ທີ່ດີເລີດແລະຄ່າ Gate ຕ່ໍາໃນເວລາດຽວກັນ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 

2 ຄຸນສົມບັດ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ 

● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ 

● ສະຫຼັບໄວ

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche ກໍາມະຈອນດຽວ 

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

● ແອັບພລິເຄຊັນປ່ຽນພະລັງງານ

● ການຈັດການພະລັງງານສໍາລັບລະບົບ inverter 

● ການຈັດການແບັດເຕີຣີ

VDSS	RDS(ເປີດ)(TYP)	ID
100V	2.2mΩ	180A