N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 100V

1 Նկարագրություն 

Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հզոր MOSFET-ն օգտագործում է առաջադեմ Split Gate Trench տեխնոլոգիան, որն ապահովում է հիանալի Rdson և միևնույն ժամանակ ցածր Gate լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Արագ միացում

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ 

● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ

● Էլեկտրաէներգիայի կառավարում ինվերտերային համակարգերի համար 

● Մարտկոցի կառավարում

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
100 Վ	2,2 mΩ	180 Ա