Razpoložljivost: | |
---|---|
Količina: | |
DHS025N10U
WXDH
Cestnino
100V
180a
Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET 180A 100V
1 opis
Ta način izboljšanja N-kanala Power MOSFET uporablja napredno tehnologijo Split Gate Hatch, ki hkrati zagotavlja odličen RDSON in nizka naboj vrat. Ki ustreza standardu ROHS.
2 značilnosti
● nizko odpornost
● Nizka naboj vrat
● Hitro preklapljanje
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Aplikacije za preklop napajanja
● Upravljanje električne energije za pretvorbe
● Upravljanje baterij
VDS | RDS (ON) (Typ) | Id |
100V | 2.2mΩ | 180a |
Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET 180A 100V
1 opis
Ta način izboljšanja N-kanala Power MOSFET uporablja napredno tehnologijo Split Gate Hatch, ki hkrati zagotavlja odličen RDSON in nizka naboj vrat. Ki ustreza standardu ROHS.
2 značilnosti
● nizko odpornost
● Nizka naboj vrat
● Hitro preklapljanje
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Aplikacije za preklop napajanja
● Upravljanje električne energije za pretvorbe
● Upravljanje baterij
VDS | RDS (ON) (Typ) | Id |
100V | 2.2mΩ | 180a |