وضع تعزيز القناة N الطاقة MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL

وضع تعزيز القناة N الطاقة MOSFET 180A 100V

1 الوصف 

تستخدم MOSFET ذات وضع تحسين القناة N تقنية Split Gate Trench المتقدمة، والتي توفر شحن Rdson ممتازًا وشحنًا منخفضًا للبوابة في نفس الوقت. والذي يتوافق مع معيار RoHS. 

2 الميزات

● مقاومة منخفضة 

● انخفاض رسوم البوابة 

● التبديل السريع

● انخفاض سعات النقل العكسي

● اختبار طاقة الانهيار الجليدي بنبضة واحدة بنسبة 100% 

● اختبار ΔVDS بنسبة 100% 

3 تطبيقات 

● تطبيقات تبديل الطاقة

● إدارة الطاقة لأنظمة العاكس 

● إدارة البطارية

VDSS	RDS (تشغيل) (TYP)	بطاقة تعريف
100 فولت	2.2 متر مكعب	180 أ