Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL

Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 180A 100V

1 περιγραφή 

Αυτή η λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET χρησιμοποιεί την προηγμένη τεχνολογία Trench Split Gate, η οποία παρέχει ταυτόχρονα εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης 

● Γρήγορη εναλλαγή

● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche 

● δοκιμή 100% ΔVDS 

3 αιτήσεις 

● Εφαρμογές μεταγωγής τροφοδοσίας

● Διαχείριση ενέργειας για συστήματα μετατροπέα 

● Διαχείριση μπαταριών