N-csatornás továbbfejlesztett üzemmód MOSFET 180A 100V
1 Leírás
Ez az N-csatornás teljesítménynövelő üzemmódú MOSFET fejlett Split Gate Trench technológiát használ, amely kiváló Rdson-t és alacsony kaputöltést biztosít egyszerre. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Alacsony ellenállás
● Alacsony kaputöltés
● Gyors váltás
● Alacsony fordított átviteli kapacitás
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● Tápkapcsoló alkalmazások
● Energiagazdálkodás inverteres rendszerekhez
● Akkumulátorkezelés
| VDSS |
RDS(be)(TYP) |
ID |
| 100V |
2,2 mΩ |
180A |