60A 40V N-Canal Modo de mejora MOSFET
1Descripción
El modo de mejora del canal N, MOSFET de potencia, utilizó un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Cambio rápido
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
● Sistema de gestión de inversores
● Herramientas eléctricas
● Electrónica automotriz
VDSS |
RDS (ON) (typ) |
IDENTIFICACIÓN |
40V |
6.3mΩ |
60A |