MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 60A 40V DH065N04P DFN5X6

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 60 A y 40 V

1Descripción 

Los mosfets de potencia del modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
40V	6,3 mΩ	60A