未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 12v-300 V n MOS » 60A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH065N04P DFN5X6

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

60A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH065N04P DFN5X6

60A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
dostupnosť:
Množstvo:
Pýtať sa Pridať do koša

60A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1Description 

N-kanálový vylepšovací režim Power MOSFETS používal pokročilý dizajn technológie priekopy, poskytol vynikajúci poplatok RDSON a Low Gate. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Nízky odpor 

● Nízka brána 

● Rýchle prepínanie 

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu 

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie 

● Aplikácie prepínania napájania 

● Systém správy invertorov 

● Elektrické náradie 

● Automobilová elektronika

VDSS RDS (on) (typ) Id
40V 6,3 mΩ 60A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
60A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty
    Odovzdať
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By Leadong.com