بوابة
شركة جيانغسو دونغهاي لأشباه الموصلات المحدودة
أنت هنا : بيت » المنتجات
نموذج:
طَرد:
الخامس:
ج:
خطوط المنتجات المختارة:

جميع المنتجات

الصورة نموذج حزمة V A ورقة البيانات تفاصيل الاستفسار أضف إلى السلة
10A 600V ديود الانتعاش السريع MURF1060 TO-220-2L مورف1060 TO-220F-2L 600 فولت 10 أ قراءة المزيد MURF1060CT.pdf
240A 60V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60 فولت 180 أ دونغهاي+DHS022N06&DHS022N06E+ورقة البيانات+V2.0.pdf
300A 100V N-channel وضم MOSFET؟ في عالم اليوم من الإلكترونيات الذكية والطاقة المتجددة والأتمتة الرقمية، أصبح هذا السؤال ذا أهمية متزايدة. يعد MOSFET (ترانزستور التأثير الميداني للمعادن والأكسيد وأشباه الموصلات) أحد أهم الترانزستورات الأساسية والأكثر أهمية. DSU021N10NA رسوم 100 فولت 300 أ الجهاز+DSU021N10NA+المواصفات+Rev.1.0.pdf
30A 200V ديود الانتعاش السريع MUR3020DCT مور3020دكت TO-3PN 200 فولت 30 أ نسخة MUR3020DCT من النسخة المعدلة REV1.0.pdf
54A 30V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30 فولت 54 أ مواصفات الجهاز DH060N03R.pdf
120A 70V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET DHS130N06D TO-252B درهم130N06D TO-252B 70 فولت 120 أ دونغهاي+DHS130N06B&DHS130N06D+ورقة البيانات+V3.0 (1).pdf
40A 1200V SiC شوتكي حاجز ديود DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200 فولت 40 أ مواصفات الجهاز DCCT40D120G4.pdf
3A 900V N-channel وضع تعزي DHB3N90 TO-251 900 فولت 3 أ مواصفات الجهاز DH3N90.pdf
4.8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650 فولت 4.8 أ Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
60A 40V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40 فولت 60 أ مواصفات الجهاز DH065N04P.pdf
15A 1200V SiC شوتكي حاجز ديود DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 فولت 15 أ مواصفات الجهاز DCGT15D120G4.pdf
30A 650V SiC شوتكي حاجز ديود DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650 فولت 30 أ مواصفات الجهاز DCE30D65G4.pdf
-50A -60V وضع تحسين القناة P الطاقة MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60 فولت -50 أ الجهاز+DH300P06L+المواصفات+Rev.2.0.pdf
7.0A 1700V N-channel SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700 فولت 7 أ دونغهاي_DCC650M170G1_ورقة البيانات_V1.0.pdf
وضع تعزيز القناة N الطاقة MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U رسوم 100 فولت 180 أ الجهاز+DHS025N10U+المواصفات+V2.0.pdf
140A 85V N-channel وضع تحسين الطاقة MOSFET DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
500 فولت/4 أمبير نصف جسر IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF الإجراء التشغيلي الموحد رقم 11 500 فولت 4 أ Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
80A 40V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET DH045N04P DFN5X6 حزمة DH045N04P DFN5X6 40 فولت 80 أ مواصفات الجهاز DH045N04P(1).pdf
500 فولت/3 أمبير نصف جسر IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF إسوب-9 500 فولت 5 أ Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
 وضع تعزيز القناة N الطاقة MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40 فولت 180 أ مواصفات الجهاز DHS020N04.pdf

فيديو المنتج

  • اشترك في النشرة الإخبارية لدينا
  • استعد للمستقبل،
    اشترك في النشرة الإخبارية لدينا للحصول على التحديثات مباشرة في صندوق البريد الوارد الخاص بك