3A 900V N-channel Mode Mode Power MOSFET DHB3N90 TO-251

3A 900V N-channel Mode Mode MOSFET

1 الوصف 

وصف 

يتم الحصول على هذه القناة N المعززة VDMOSFETs ، من خلال تقنية مستوية محاذاة ذاتيا والتي تقلل من فقدان التوصيل ، وتحسين أداء التبديل وتعزيز طاقة الانهيار. الذي يتوافق مع معيار ROHS. 

2 ميزات

● التبديل السريع 

● منخفضة على المقاومة (RDSON≤5.5Ω) 

● شحنة بوابة منخفضة (TYP: 16NC) 

● السعة المنخفضة النقل العكسي (TYP: 6.5PF)

● 100 ٪ اختبار طاقة النبض المنفرد 

● اختبار 100 ٪ ΔVDS

3 تطبيقات 

● تستخدم في دائرة تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام والكفاءة العالية. 

● دائرة مفتاح الطاقة من المحول والشاحن.