3A 900V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHB3N90 TO-251

3A 900V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET

1 説明 

説明 

これらの N チャネル強化 vdmosfet は、伝導損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。 RoHS規格に準拠しています。 

2 特徴

●高速スイッチング 

●低オン抵抗(Rdson≦5.5Ω) 

● 低いゲート電荷(Typ: 16nC) 

●低い逆伝達容量(Typ:6.5pF)

● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験 

● 100% ΔVDS テスト

3 アプリケーション 

●システムの小型化、高効率化を図るため、各種電源スイッチング回路に使用されます。 

●アダプターと充電器の電源スイッチ回路。

VDSS	RDS(オン)(TYP)	ID
900V	4.7mΩ	3A