3A 900V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHB3N90 TO-251

3A 900V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1説明 

説明 

これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。 

2つの機能

●高速スイッチング 

●抵抗が少ない（rdson≤5.5Ω） 

●低ゲートチャージ（typ：16nc） 

●低い逆転送容量（typ：6.5pf）

●100％単一パルス雪崩エネルギーテスト 

●100％ΔVDSテスト

3つのアプリケーション 

●システムの小型化とより高い効率のために、さまざまな電源スイッチング回路で使用されます。 

●アダプターと充電器の電源スイッチ回路。