3A 900V N-channel Mode Peningkatan Daya MOSFET
1 Deskripsi
Keterangan
Vdmosfet yang ditingkatkan saluran-N ini, diperoleh dengan teknologi planar penyelarasan mandiri yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja peralihan, dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
● Peralihan cepat
● Resistansi rendah (Rdson≤5.5Ω)
● Biaya gerbang rendah (Tipe: 16nC)
● Kapasitansi transfer balik rendah (Tipe: 6,5pF)
● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal
● Tes ΔVDS 100%.
3 Aplikasi
● Digunakan di berbagai rangkaian peralihan daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.
● Rangkaian saklar daya adaptor dan pengisi daya.
| VDSS |
RDS(aktif)(TYP) |
PENGENAL |
| 900V |
4,7mΩ |
3A |