未命名 (1) (8) (1)
gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 400V-1500V n Mos » 3A 900V N-Channel Mode Peningkatan Power mosfet dhb3n90 to-251

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

3A 900V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHB3N90 TO-251

3A 900V N-Channel Enhancement Mode Power Power MOSFET
Ketersediaan:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke keranjang

3A 900V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 deskripsi 


Keterangan 

N-channel yang ditingkatkan VDMOSFET ini, diperoleh oleh teknologi planar self-endak yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja switching dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur

● Pergantian cepat 

● Rendah pada resistansi (rdson≤5.5Ω) 

● Pengisian Gerbang Rendah (TYP: 16NC) 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah (TYP: 6.5PF)

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS


3 aplikasi 

● Digunakan di berbagai sirkuit switching daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi. 

● Sirkuit sakelar daya adaptor dan pengisi daya.

VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
900v 4.7mΩ 3a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Newsletter kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda
    Kirim
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology oleh leadong.com