3A 900V N-Channel Mode Mode MOSFET DHB3N90 TO-251

3A 900 ولت N-Channel Mode Mode MOSFET

1 توضیحات 

شرح 

این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد. 

2 ویژگی

● سوئیچینگ سریع 

● کم مقاومت (Rdson≤5.5Ω) 

legh شارژ پایین دروازه (TYP: 16NC) 

alpass خازن انتقال معکوس پایین (تایپ: 6.5pf)

● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک 

● 100 ٪ تست ΔVDS

3 برنامه 

● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود. 

circuit مدار سوئیچ برق آداپتور و شارژر.