3A 900 ولت N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHB3N90 TO-251

ماسفت برق 3A 900 ولت N-channel Enhancement Mode Power

1 توضیحات 

توضیحات 

این vdmosfet های N-channel بهبود یافته، توسط فناوری مسطح خود تراز شده به دست می آیند که تلفات هدایت را کاهش می دهد، عملکرد سوئیچینگ را بهبود می بخشد و انرژی بهمن را افزایش می دهد. که مطابق با استاندارد RoHS است. 

2 ویژگی

● تعویض سریع 

● مقاومت کم (Rdson≤5.5Ω) 

● شارژ پایین دروازه (نوع: 16nC) 

● ظرفیت انتقال معکوس کم (نوع: 6.5pF)

● تست 100% انرژی بهمن تک پالس 

● تست 100% ΔVDS

3 برنامه های کاربردی 

● در مدارهای مختلف سوئیچینگ قدرت برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود. 

مدار سوئیچ برق آداپتور و شارژر.

VDSS	RDS(روشن)(TYP)	شناسه
900 ولت	4.7mΩ	3A