3A 900V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET DHB3N90 TO-251

3A 900V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET

1 መግለጫ 

መግለጫ 

እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ የተገኘው በራስ ተሰልፎ በሚሠራው የፕላን ቴክኖሎጂ አማካኝነት የመምራት ኪሳራን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የበረዶ ላይ ጉልበትን ይጨምራል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል። 

2 ባህሪያት

● ፈጣን መቀያየር 

● የመቋቋም ችሎታ ዝቅተኛ (Rdson≤5.5Ω) 

● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 16nC) 

● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 6.5pF)

● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ 

● 100% ΔVDS ፈተና

3 መተግበሪያዎች 

● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት ዝቅተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል። 

● አስማሚ እና ቻርጅ ያለውን ኃይል መቀየሪያ የወረዳ.

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል)(TYP)	መታወቂያ
900 ቪ	4.7mΩ	3A