MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 3 A 900 V DHB3N90 TO-251

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 3 A 900 V

1 Descrizione 

Descrizione 

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche

● Commutazione rapida 

● Bassa resistenza (Rdson ≤ 5,5 Ω) 

● Bassa carica di gate (tipicamente: 16nC) 

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 6,5 pF)

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%.

3 applicazioni 

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione dell'adattatore e del caricabatterie.

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
900 V	4,7 mΩ	3A