3A 900V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DHB3N90 bis 251

3A 900V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

Beschreibung 

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 5,5 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 16NC) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 6.5PF)

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet. 

● Stromschaltkreis von Adapter und Ladegerät.