3A 900V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHB3N90 TO-251

3A 900V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Beschreibung 

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤5,5Ω) 

● Geringe Gate-Ladung (Typ: 16 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 6,5 pF)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet. 

● Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät.

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
900V	4,7 mΩ	3A