3A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHB3N90 TO-251

3A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Paglalarawan 

Paglalarawan 

Ang mga pinahusay na vdmosfet ng N-channel na ito, ay nakuha ng self-aligned na planar na teknolohiya na nagpapababa sa pagkawala ng pagpapadaloy, nagpapabuti sa pagganap ng paglipat at nagpapahusay sa enerhiya ng avalanche. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS. 

2 Mga Tampok

● Mabilis na paglipat 

● Mababa ang resistensya (Rdson≤5.5Ω) 

● Mababang gate charge(Typ: 16nC) 

● Mababang reverse transfer capacitances(Typ: 6.5pF)

● 100% single pulse avalanche energy test 

● 100% ΔVDS test

3 Aplikasyon 

● Ginagamit sa iba't ibang power switching circuit para sa miniaturization ng system at mas mataas na kahusayan. 

● Power switch circuit ng adapter at charger.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
900V	4.7mΩ	3A