3A 900V N-CHANNEL மேம்பாட்டு பயன்முறை சக்தி MOSFET DHB3N90 TO-251

3A 900V N-CHANNEL மேம்பாட்டு பயன்முறை சக்தி MOSFET

1 விளக்கம் 

விளக்கம் 

இந்த n- சேனல் மேம்படுத்தப்பட்ட VDMOSFET கள், சுய-சீரமைக்கப்பட்ட பிளானர் தொழில்நுட்பத்தால் பெறப்படுகின்றன, இது கடத்தல் இழப்பைக் குறைக்கிறது, மாறுதல் செயல்திறனை மேம்படுத்துகிறது மற்றும் பனிச்சரிவு ஆற்றலை மேம்படுத்துகிறது. இது ROHS தரநிலையுடன் ஒத்துப்போகிறது. 

2 அம்சங்கள்

● வேகமாக மாறுதல் 

Ristivire எதிர்ப்பில் குறைவாக (rdson≤5.5Ω) 

K குறைந்த கேட் கட்டணம் (Typ: 16NC) 

Rever குறைந்த தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு (TYP: 6.5pf)

● 100% ஒற்றை துடிப்பு பனிச்சரிவு ஆற்றல் சோதனை 

● 100% ΔVDS சோதனை

3 பயன்பாடுகள் 

Min கணினி மினியேட்டரைசேஷன் மற்றும் அதிக செயல்திறனுக்காக பல்வேறு சக்தி மாறுதல் சுற்றில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. 

அடாப்டர் மற்றும் சார்ஜரின் பவர் சுவிட்ச் சுற்று.