3A MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N 900 V
1 Përshkrimi
Përshkrimi
Këto vdmosfet të zgjeruara me kanal N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-linjëzuar e cila redukton humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve. Që përputhet me standardin RoHS.
2 Karakteristikat
● Ndërrimi i shpejtë
● Rezistencë e ulët (Rdson≤5,5Ω)
● Ngarkesa e ulët e portës (Lloji: 16nC)
● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (Lloji: 6,5 pF)
● Testi i energjisë së ortekëve me puls 100% të vetëm
● Test 100% ΔVDS
3 Aplikacionet
● Përdoret në qark të ndryshëm komutues të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitet më të lartë.
● Qarku i ndërprerësit të rrymës së përshtatësit dhe karikuesit.
| VDSS |
RDS(aktiv) (TYP) |
ID |
| 900 V |
4,7 mΩ |
3A |