Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
DHB3N90
WXDH
TO-251
900 V -os
3A
3A 900V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony az ellenállás (rdson≤5,5Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 16NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 6.5PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
900 V -os | 4,7mΩ | 3A |
3A 900V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony az ellenállás (rdson≤5,5Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 16NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 6.5PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
900 V -os | 4,7mΩ | 3A |