未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

Kõik tooted

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
60A 40V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60A Seadme DH065N04P spetsifikatsioon.pdf
30V/2,2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L KUNI -220C 30V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 KUNI -220C 85V 100A Seadme DHS065N85 spetsifikatsioon.pdf
10,6 A 700 V N-kanaliga Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10,6A Seadme DJF420N70T spetsifikatsioon Rev.1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 KUNI -220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 150V LOW VF SchottkyBarrierDiood MBR20R150CT TO-220C MBR20R150CT KUNI -220C 150V 20A 英文版MBR20R150CT技术规格书.pdf
30A 45V Schottky BarrierDiood MBR3045CT TO-3P MBR3045CT TO-3PN 45V 30A
140A 85V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
200A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Seadme DH020N03(B39) spetsifikatsioon.pdf
N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
130A 100V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 KUNI -220C 40V 180A Seadme DHS020N04 spetsifikatsioon.pdf
16A 400V kiire taastav diood MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400V 16A 英文版MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
20A 650V kraavitõkkega isoleeritud väravaga bipolaarne transistor DGE20F65M2 TO-263 DGE20F65M2 TO-263 650V 20A DGE20F65M2_datasheet.pdf
-6A -100V P-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100V -6A Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40V 120A Seade+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Spetsifikatsioon+Rev.1.0.pdf
Kolmeklemmiline pingeregulaator IC L7812 TO-220M L7812 TO-220M 12V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
70A 60V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 KUNI -220C 60V 238A Seadme DH026N06 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com