grille
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vous êtes ici : Maison » Produits
Modèle:
Emballer:
V :
UN:
LIGNES DE PRODUITS SÉLECTIONNÉES :

Tous les produits

Image Modèle Package V A Fiche technique Détails Demande Ajouter au panier
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 240A, 60V, DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Fiche technique+V2.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N, 300 A, 100 V, DSU021N10NA, paquet péage DSU021N10NA SONNER 100V 300A Appareil+DSU021N10NA+Spécification+Rev.1.0.pdf
Diode de récupération rapide 30A 200V MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200V 30A Description du document MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 54A 30V DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Spécifications de l'appareil DH060N03R.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 120A, 70V, DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Fiche technique+V3.0 (1).pdf
Diode barrière Schottky SiC 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Spécifications de l'appareil DCCT40D120G4.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N, 4,8 a, 650V, DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4,8A DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 2A 650V B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 60A 40V DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60A Spécifications de l'appareil DH065N04P.pdf
Diode barrière Schottky SiC 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Spécifications de l'appareil DCGT15D120G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Spécifications de l'appareil DCE30D65G4.pdf
-50A -60V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Appareil+DH300P06L+Spécification+Rev.2.0.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N, 7,0 A, 1 700 V, DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A DCC650M170G1_Fiche technique_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U SONNER 100V 180A Appareil+DHS025N10U+Spécification+V2.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 140 A 85 V DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
Demi-pont 500 V/4 A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A DPQA04HB50MF_fiche_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 80A 40V DH045N04P DFN5X6 DH045N04P DFN5X6 40V 80A Spécification de l'appareil DH045N04P (1) .pdf
Demi-pont 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MF_Fiche technique_V1.0.pdf
 Mode d'amélioration du canal N MOSFET de puissance 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40V 180A Spécification de l'appareil DHS020N04.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D

Vidéo du produit

  • Inscrivez-vous à notre newsletter
  • préparez-vous pour l'avenir,
    inscrivez-vous à notre newsletter pour recevoir des mises à jour directement dans votre boîte de réception