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MOSFET de puissance F8N60 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N 8A 600V F8N60 TO-220F 600V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
Diode SchottkyBarrier 30A 200V HMBR30200CT TO-220C HMBR30200CT TO-220C 200V 30A Description du produit HMBR30200CT.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 174A, 85V, DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A Spécification de l'appareil DHS030N88.pdf
MOSFET de puissance F20N60 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N, 20A, 600V F20N60 TO-220F 600V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Spécifications de l'appareil DH100P20.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 45a, 100V, DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 96A 40V DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A Donghai_DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 80A 85V DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85V 80A Spécifications de l'appareil DHS065N85P.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 180 A 135 V DSG052N14N TO-220C 135V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
100 V/12 mΩ/60 A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A Donghai_DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
Module onduleur NPC à 3 niveaux, module IGBT DGQ450C65M2T DGQ450C65M2T Affectation des broches 650V 270A DGQ450C65M2T-REV1.5.pdf
MUR6030BCT TO-247S MUR6030BCT
8N65 À-220C 8N65
FORFAIT PÉAGE DSU047N15NA DSU047N15NA
Diode SchottkyBarrier 10A 200V MBRE10200CT TO-263 MBRE10200CT TO-263 200V 10A Fichier MBRE10200CT pour REV-1.1.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 3A 900V DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900V 3A Spécifications de l'appareil DH3N90.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 10,6 A 700 V DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700V 10,6A Spécifications de l'appareil DJD420N70T Rev.1.0.pdf
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MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18A Spécification de l'appareil 640.pdf
150 V/7,5 mΩ/115 A N-MOSFET TO-220C DSG092N15N3A TO-220C 150V 115A

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