未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

Tutti i prodotti

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200 V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 6A 650V DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650 V 6A DGD06F65M2__datasheet.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Modalità di potenziamento canale P MOSFET di potenza 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Specifiche del dispositivo DH100P30AD.pdf
Diodo a recupero rapido 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400 V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 96 A 30 V DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30 V 96A Specifiche del dispositivo DH030N03P.pdf
MOSFET di potenza DSP038N08NA DFN5X6 in modalità potenziamento canale N da 130 A 85 V DSP038N08NA DFN5X6 85 V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 2 A 650 V B2N65 B2N65 TO-251B 650 V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300 V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 100 V DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Specifiche del dispositivo DH0159B76(1).pdf
MOSFET di potenza a giunzione super canale N da 10,6 A 650 V DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650 V 10,6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 68 V DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Dispositivo DH072N07 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 100 V DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Specifiche del dispositivo DHS065N10P(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F20N65 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 20 A 650 V F20N65
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 33 A 60 V DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Dispositivo DH240N06L Specifiche Rev.2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 65 A 100 V DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
MOSFET di potenza F18N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 18 A 500 V F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 80 V DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Dispositivo DH80N08 B22 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 120A100V D120N10 TO-220C 100 V 120A Specifiche del dispositivo D120N10ZR.pdf

Video del prodotto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com