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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 70 A 82 V DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82V 70A Specifiche del dispositivo DH8290.pdf
MOSFET di potenza DHS044N12E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 160 A 120 V DHS044N12E TO-263 120 V 160A Donghai_DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
Modulo half bridge 600A 1200V DGD600H120L2T CONFEZIONE EconoDUAL3 DGD600H120L2T EconoDUAL3 1200 V 600A DGD600H120L2T-REV1.1.pdf
Diodo Barriera Schottky 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT TO-220M 200 V 10A L'articolo sul modello MBR10200CT è REV-1.1.pdf
MOSFET N TO-252B da 100 V/15 mΩ/50 A DHS180N10LD TO-252B 100 V 50A Donghai_DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
Diodo barriera Schottky da 10 A 100 V MBR10100CT TO-252B MBR10100CT TO-252B 100 V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
 MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 145A 60V DH045N06 TO-220C DH045N06 TO-220C 60 V 145A Dispositivo DH045N06 Specifiche.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCD20D65G4.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 60 V DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60 V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza F16N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 16 A 600 V F16N60
Diodo a recupero rapido 80A 600V MUR8060FCT TO-3PF MUR8060FCT TO-3PF 600 V 80A 英文版MUR8060FCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
Diodo barriera Schottky 20A 45V BASSO VF MBR20R45CT TO-263 MBR20R45CT TO-263 45 V 20A 英文版MBR20R45CT技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 10A 150V MBR10150CT TO-220M MBR10150CT TO-220M 150 V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 25 A 100 V 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100 V 25A Specifiche del dispositivo 25N10.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 600V MUR6060NCT TO-3PN MUR6060NCT TO-3PN 600 V 60A 英文版MUR6060NCT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHD50N03 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 50 A 30 V DHD50N03 TO-252B 30 V 50A Donghai_DHB50N03&DHD50N03_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET N DHS110N15F TO-220F da 150 V/9,5 mΩ/52 A DHS110N15F TO-220F 150 V 52A Donghai+DHS110N15F+Scheda dati+V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 100 A 30 V 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30 V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza F5N65C TO-220F in modalità potenziamento canale N da 4,5 A 650 V F5N65C TO-220F 650 V 4,5 A 英文版F5N65C技术规格书REV1.1.pdf

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