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MOSFET di potenza F8N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 8 A 600 V F8N60 TO-220F 600 V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 200V HMBR30200CT TO-220C HMBR30200CT TO-220C 200 V 30A 英文版HMBR30200CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 174A 85V DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85 V 174A Specifiche del dispositivo DHS030N88.pdf
MOSFET di potenza F20N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 20 A 600 V F20N60 TO-220F 600 V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
-100 V/33 mΩ/-35 A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100 V -20A Specifiche del dispositivo DH100P20.pdf
MOSFET di potenza DHS160N100D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 45 A 100 V DHS160N100D TO-252B 100 V 45A Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 96 A 40 V DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40 V 96A Donghai_DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 80A 85V DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85 V 80A Specifiche del dispositivo DHS065N85P.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 180 A 135 V DSG052N14N TO-220C 135 V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
MOSFET N da 100 V/12 mΩ-251, T0-252, T0-263, TOLL, DFN5*6, DFN3*3, SOP-8, TO-92, ecc. DSD150N10L3 TO-252B 100 V 60A Donghai_DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
Modulo IGBT modulo inverter NPC a 3 livelli DGQ450C65M2T DGQ450C65M2T Assegnazione dei pin 650 V 270A DGQ450C65M2T-REV1.5.pdf
MUR6030BCT TO-247S MUR6030BCT
8N65 TO-220C 8N65
DSU047N15NA PACCHETTO PEDAGGIO DSU047N15NA
Diodo barriera Schottky 10A 200V MBRE10200CT TO-263 MBRE10200CT TO-263 200 V 10A 文版MBRE10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 3 A 900 V DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900 V 3A Specifiche del dispositivo DH3N90.pdf
MOSFET di potenza a giunzione super canale N da 10,6 A 700 V DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700 V 10,6A Specifiche del dispositivo DJD420N70T Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 7,6 A 650 V DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650 V 7,6 A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200 V 18A Specifiche del dispositivo 640.pdf
MOSFET N TO-220C da 150 V/7,5 mΩ/115 A DSG092N15N3A TO-220C 150 V 115A

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