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13N90
Diodo barriera Schottky da 20 A 45 V MBR2045CT TO-220C MBR2045CT TO-220C 45 V 20A 英文版MBR2045CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650 V 5A 英文版D5N65-XAD技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky da 20 A 200 V MBR20200CT TO-220M MBR20200CT TO-220M 200 V 20A 英文版MBR20200CT技术规格书REV1.1.pdf
DGC60F65M
Diodo barriera Schottky 30A 60V MBR3060CT TO-220M MBR3060CT TO-220M 60 V 30A 英文版MBR3060CT技术规格书REV1.1(1).pdf
6N90/F6N90
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 TO-252B 500 V 8A 英文版D8N50技术规格书REV1.1.pdf
20N90D/20N90B
7N80/F7N80/E7N80
8N50/F8N50/B8N50/D8N50
9N90/F9N90/E9N90
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 25 A 650 V DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F TO-220C 650 V 25A Specifiche del dispositivo DHSJ25N65F.pdf
Diodo barriera Schottky da 10 A 200 V MBRF10R200CT TO-220F 200 V 10A 英文版MBRF10R200CT技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCE20D65G4.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 200V MBRF30200CT TO-220F MBRF30200CT TO-220F 200 V 30A 英文版MBRF30200CT技术规格书REV1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 20A 400V MURF2040CT TO-220F MURF2040CT TO-220F 400 V 20A 英文版MURF2040CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS044N12 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 160 A 120 V DHS044N12 TO-220C 120 V 160A Specifiche del dispositivo DHS044N12.pdf
85 V/2,9 mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85 V 215A Donghai_DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 70 A 650 V DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650 V 70A Dispositivo DJC070N65M2 Specifiche Rev.1.0.pdf

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