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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Diodo barriera Schottky SiC 25A 650V DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 10A 600V 10N60 10N60
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 5 A 500 V 5N50 5N50
MOSFET di potenza DHS015N06 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 60 V DHS015N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+scheda tecnica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 16A 650V DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650 V 16A Donghai DHSJ21N65Z Scheda tecnica V1.0(1).pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500 V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 10,6 A 650 V DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650 V 10,6A Specifiche del dispositivo DJF380N65T Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200 V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Dispositivo+DTG050P06LA+Specifica+Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 200V MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200 V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F8N65 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 8 A 650 V F8N65 TO-220F 650 V 8A F8N65技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 100 V DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifiche+Rev.1.0.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200 V 100A DGA100H120M2T.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+scheda tecnica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 200 V F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50A Specifiche del dispositivo F50N20(1).pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200 V 150A DGA150H120L2T.pdf
Diodo a barriera Schottky SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252B 650 V 4A Specifiche del dispositivo DCD04D65G4.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200 V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 6A 650V DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650 V 6A _scheda tecnica.pdf

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