8n50/f8n50/b8n50/d8n50

8A 500 V MODIEMENTO N-Canale N-Canale Mosfet di potenza

Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con lo standard ROHS.

2 caratteristiche

● commutazione rapida

● ESD Capacità migliorata

● Resistenza bassa (RDSON≤0,9Ω)

● CAGGIO DI GATE basso (tip: 24NC)

● Capacità di trasferimento inverse basse (tip: 7pf)

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%

● Test al 100% ΔVDS

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza.

● Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore elettronico.